1. No category

RAPIDPLUS
fusibles ultrarrápidos para semiconductores
|2
INA
PAG
INA
PAG
S
DUCTORE
EMICON DUCTORES
N
PARA S
O
PIDOS
A SEMIC
DUCTORES
RARRA APIDOS PAR PARA SEMICON
R
S ULT
S
SIBLE LTRAR RAPIDO
aR FU LES U LTRAR
S
PLU
PID
RA
U
IB
|
04 | gR FUS IBLES NH
05 | gS FUS
06
INA
PAG
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
Los fusibles RAPIDPLUS aR protegen contra los cortocircuitos y están diseñados y construidos para tener unos valores muy redu-
cidos de I2t que garantizan una optima protección de los semiconductores. Presentan una gran resistencia al envejecimiento ante
variaciones cíclicas de corriente. La gama de fusibles cilíndricos RAPIDPLUS aR comprende tres tallas 10x38, 14x51 y 22x58 con
corrientes asignadas entre 1A y 100A y tensión asignada de 690 V AC. En las tallas 14x51 y 22x58 existe la versión con percutor,
para ser utilizada en bases con microrruptor. Están realizados con tubos cerámicos de alta resistencia a la presión interna y a los
choques térmicos, y con contactos de cobre plateados. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores
(diodos, tiristores, triacs, etc) en rectificadores de potencia, SAI’s, convertidores, variadores de velocidad de motores (AC y DC),
arrancadores suaves, relés de estado sólido, inversores para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier
aplicación donde se precise proteger componentes semiconductores. Están certificados según norma UL248. UL File Nr. E477155.
In
10x38
U
PODER DE CORTE
(A)
SIN
PERCUTOR
REFERENCIA
CON
PERCUTOR
(V AC)
(kA)
EMBALAJE
1
2
3
4
6
8
10
12
16
20
25
32
491105
491107
491110
491113
491115
491120
491125
491130
491135
491140
491145
491155
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
491215
491225
491230
491235
491237
491241
491245
491250
491260
491265
491270
–
–
491730
491735
491737
491741
491745
491750
491760
491765
491770
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
491300
491305
491310
491315
491320
491325
491330
491335
491800
491805
491810
491815
491820
491825
491830
491835
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
491125
700 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
14x51
4
6
8
10
12
16
20
25
32
40
50
491215
700 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
22x58
20
25
32
40
50
63
80
100
700 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
NORMAS
|4
IEC 60269-1
IEC 60269-4
EN 60269-1
EN 60269-4
UL248-1
UL248-13
HOMOLOGACIONES
491355
TECNICO
DIMENSIONES Y
CARACTERISTICAS
TECNICAS
TECNICO
CARACTERISTICAS t-I
Y DE LIMITACION
PAGINA
PAGINA
05
05
TECNICO
FUSIBLES RAPIDPLUS EN
BASES PORTAFUSIBLES
PMC, PMF Y PMX
20
PAGINA
COMPATIBLE
PMF BASES
PORTAFUSIBLES
COMPATIBLE
PMX BASES
PORTAFUSIBLES
COMPATIBLE
BAC BASES ABIERTAS
VER
VER
VER
bases-portafusibles/pmx/
bases-portafusibles/pmx/
bases-portafusibles/bac/
CILINDRICOS
CILINDRICOS
CILINDRICOS
www.df-sa.es/es/cilindricos/ www.df-sa.es/es/cilindricos/ www.df-sa.es/es/cilindricos/
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
Los fusibles RAPIDPLUS gR protegen en todo el rango de sobrecorrientes, tanto contra sobrecargas como contra cortocircuitos,
con lo que además deproteger a los dispositivos semiconductores, también se protege a los cables y el resto de aparellaje de la
instalación. La gama de fusibles cilíndricos RAPIDPLUS gR comprende tres tallas 10x38, 14x51 y 22x58 con corrientes asignadas
entre 1A y 100A y tensión asignada de 690V AC. En las tallas 14x51 y 22x58 existe la versión con percutor, para ser utilizada
en bases con microrruptor. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores (diodos, tiristores, triacs, etc)
en rectificadores de potencia, SAI’s, convertidores, variadores de velocidad de motores (AC y DC), arrancadores suaves, relés de
estado sólido, inversores para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier aplicación donde se precise
proteger componentes semiconductores. Están certificados según norma UL248. UL File Nr. E477155.
In
10x38
U
PODER DE CORTE
(A)
SIN
PERCUTOR
REFERENCIA
CON
PERCUTOR
(V AC)
(kA)
EMBALAJE
1
2
3
4
6
8
10
12
16
20
25
32
492000
492001
492002
492003
492004
492005
492006
492007
492008
492009
492010
492011
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
492014
492015
492016
492017
492018
492019
492020
492021
492022
492023
492024
–
–
492116
492117
492118
492119
492120
492121
492122
492123
492124
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
492033
492034
492035
492036
492037
492038
492039
492040
492133
492134
492135
492136
492137
492138
492139
492140
690
690
690
690
690
690
690
690
200
200
200
200
200
200
200
200
10
10
10
10
10
10
10
10
492006
440 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
14x51
4
6
8
10
12
16
20
25
32
40
50
492014
440 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
22x58
20
25
32
40
50
63
80
100
440 VDC - PODER DE CORTE 30 kA
NORMAS
IEC 60269-1
IEC 60269-4
EN 60269-1
EN 60269-4
UL248-1
UL248-13
HOMOLOGACIONES
TECNICO
DIMENSIONES Y
CARACTERISTICAS
TECNICAS
TECNICO
CARACTERISTICAS t-I
Y DE LIMITACION
PAGINA
PAGINA
09
09
TECNICO
FUSIBLES RAPIDPLUS EN
BASES PORTAFUSIBLES
PMC, PMF Y PMX
20
PAGINA
COMPATIBLE
PMF BASES
PORTAFUSIBLES
COMPATIBLE
PMX BASES
PORTAFUSIBLES
COMPATIBLE
BAC BASES ABIERTAS
VER
VER
VER
bases-portafusibles/pmx/
bases-portafusibles/pmx/
bases-portafusibles/bac/
CILINDRICOS
CILINDRICOS
CILINDRICOS
www.df-sa.es/es/cilindricos/ www.df-sa.es/es/cilindricos/ www.df-sa.es/es/cilindricos/
492040
5|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
gS Los fusibles RAPIDPLUS NH gS protegen en todo el rango de sobrecorrientes, tanto contra sobrecargas como contra cortocircuitos,
NUEVO
FUSIBLES NH PARA SEMICONDUCTORES
con lo que además de proteger a los dispositivos semiconductores, también se protege a los cables y el resto de aparellaje de la
instalación. Están optimizados para mantener unos valores bajos de potencia disipada, lo que permite que estos cartuchos fusibles
sean montados en cualquier base, seccionador o interruptor con fusibles. La gama de fusibles NH RAPIDPLUS gS comprende cinco
tallas NH000, NH00, NH1, NH2 y NH3, con corrientes asignadas comprendidas entre 20A y 630A con una tensión asignada de
690 V AC. Las aplicaciones típicas comprenden la protección de semiconductores (diodos, tiristores, triacs, etc) en rectificadores
de potencia, SAI’s, convertidores, variadores de velocidad de motores, arrancadores suaves, relés de estado sólido, inversores
para centrales fotovoltaicas, inversores para soldadura y en general cualquier aplicación donde se precise proteger componentes
semiconductores.
In
REFERENCIA
U
PODER DE CORTE
(V AC)
(kA)
371025
371030
371035
371045
371050
371055
371060
371065
690
690
690
690
690
690
690
690
100
100
100
100
100
100
100
100
3
3
3
3
3
3
3
3
371070
371075
690
690
100
100
3
3
(A)
NH000
20
25
32
40
50
63
80
100
TENSION ASIGNADA
440 V DC (L/R=10ms)
NH00
NH1
NH2
NH3
NORMAS
IEC 60269-1
IEC 60269-4
EN 60269-1
EN 60269-4
371250
371255
371260
371270
371273
690
690
690
690
690
100
100
100
100
100
3
3
3
3
3
371360
371370
371375
371380
371387
690
690
690
690
690
100
100
100
100
100
3
3
3
3
3
371450
371455
371463
371465
371470
690
690
690
690
690
100
100
100
100
100
1
1
1
1
1
371378
PODER DE CORTE ASIGNADO
30 kA (@550V DC)
355
400
450
500
630
TENSION ASIGNADA
550 V DC (L/R=10ms)
371273
PODER DE CORTE ASIGNADO
30 kA (@550V DC)
250
315
355
400
450
TENSION ASIGNADA
550 V DC (L/R=10ms)
|6
PODER DE CORTE ASIGNADO
30 kA (@440V DC)
125
160
200
250
280
TENSION ASIGNADA
550 V DC (L/R=10ms)
371075
PODER DE CORTE ASIGNADO
30 kA (@440V DC)
125
160
TENSION ASIGNADA
440 V DC (L/R=10ms)
EMBALAJE
PODER DE CORTE ASIGNADO
30 kA (@550V DC)
HOMOLOGACIONES
D I R E C T I V E
2002/95/EC
TECNICO
DIMENSIONES
13
PAGINA
TECNICO
CARACTERISTICAS t-I
14
PAGINA
TECNICO
CARACTERISTICAS
DE LIMITACION
15
PAGINA
TECNICO
CARACTERISTICAS
TECNICAS
16
PAGINA
COMPATIBLE
BASES NH ST 690V
COMPATIBLE
BASES NH CR 690V
VER
VER
bases/st/
bases/cr/
NH
www.df-sa.es/es/nh/
NH
www.df-sa.es/es/nh/
371470
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
10x38
10x38 aR
Coeficiente de corrección I2t (K)
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
10x38 aR
10x38 aR
Tensión de Arco (UL)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
1*
0,20
1,2
0,45
0,75
3
0,80
2,5
2,6
0,75
1,40
5,6
17
1,13
2,05
2
4
6
16,0
10
6,6
8
12
4,3
9,6
8,0
48
38
59
84
16
17,0
150
25
60,2
512
20
32
23,5
94,0
200
800
0,95
1,56
0,97
1,20
1,69
2,31
2,86
2,94
3,82
1,70
3,00
1,68
2,09
2,99
4,27
5,35
5,52
7,43
* No CERTIFICADO UL
I2t Coeficiente de correción (K)
La l2t de funcionamiento indicada corresponde a la tensión nominal con un FP de 0,15. Para otras tensiones de funcionamiento, la l2t se puede hallar multiplicándola
por un factor de corrección K, en función de la tensión de trabajo.
Potencia disipada (Cp)
Los valores de potencia disipada están indicados a la corriente nominal. La curva permite el cálculo de la potencia disipada a intensidades inferiores a la
nominal. Podemos obtener el factor de corrección Cp en función del valor eficaz de la corriente expresada como % de la nominal.
Tensión de arco (UL)
Esta curva nos indica el valor de pico de la tensión de arco UL que puede presentarse en bornes del fusible durante la fusión en función de la tensión de trabajo Eg
expresada en valor eficaz. (FP = 0,15).
7|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
Coeficiente de corrección I2t (K)
14x51 aR
14x51
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
4
6
5,6
14
1,32
2,28
16,0
40
1,80
3,18
10
6,3
37
1,39
2,36
8
12
4,1
9,1
16
12,4
25
36,6
20
32
40
50
|8
14x51 aR
Tensión de Arco (UL)
14x51 aR
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
23
53
72
20,6
119
82,3
475
146,3
260,0
211
844
1500
1,01
1,63
2,43
3,04
3,75
3,92
4,52
5,60
1,69
2,78
4,16
5,43
6,11
7,17
8,15
10,6
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
Coeficiente de corrección I2t (K)
22x58 aR
22x58
22x58 aR
Tensión de Arco (UL)
22x58 aR
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
20
19
103
3,00
5,25
32
34
60
182
3,40
5,85
94
506
6,10
10,80
7,70
14,00
25
40
50
158
80
634
63
100
324
856
375
2025
1500
8100
3422
4,50
7,50
9,65
10,30
8,20
13,70
17,60
18,00
9|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
CARACTERISTICAS t-I
TECNICO
14x51
22x58
Tiempo de prearco (s)
Tiempo de prearco (s)
10x38
Tiempo de prearco (s)
10x38
14x51
22x58
Corriente prevista (A ef)
Corriente prevista (A ef)
Corriente prevista (A ef)
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
CARACTERISTICAS DE LIMITACION
TECNICO
10x38
Corriente máxima (kA cresta)
10x38
14x51
22x58
Corriente máxima (kA cresta)
14x51
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente máxima (kA cresta)
22x58
Corriente prevista simétrica (A ef)
|10
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
10x38
10x38 gR
I2t Coeficiente de corrección (K)
Tensión de Arco (UL)
10x38 gR
10x38 gR
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
1
0,20
1,2
0,45
0,75
3
0,80
2,5
2,6
0,75
1,40
5,6
17
1,13
2,05
2
4
6
16,0
10
6,6
8
12
4,3
9,6
8,0
48
38
59
84
16
17,0
150
25
60,2
512
20
32
23,5
94,0
200
800
0,95
1,56
0,97
1,20
1,69
2,31
2,86
2,94
3,82
1,70
3,00
1,68
2,09
2,99
4,27
5,35
5,52
7,43
11|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
14x51 gR
14x51
Tensión de Arco (UL)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
4
6
5,6
17
1,56
2,94
16,0
48
2,25
4,20
10
5,9
47
1,41
2,52
8
12
16
20
25
3,8
8,4
30
68
15
120
53
333
27
170
32
108
50
211
1331
350
2200
40
|12
14x51 gR
14x51 gR
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
679
1,18
1,95
2,67
2,91
3,38
3,72
4,13
5,36
2,00
3,54
4,83
5,40
6,00
6,93
7,52
9,80
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
DIMENSIONES Y CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
22x58 gR
22x58
Tensión de Arco (UL)
22x58 gR
22x58 gR
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
20
24
154
3,23
6,00
43
274
3,66
6,65
40
120
760
6,05
11,32
63
516
7,35
13,80
25
32
50
80
100
97
616
273
1362
1092
5448
2065
2575
10300
4,86
6,26
8,40
9,40
9,21
11,85
14,00
17,70
13|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
CARACTERISTICAS t-I
TECNICO
14x51
22x58
Tiempo de prearco (s)
Tiempo de prearco (s)
10x38
Tiempo de prearco (s)
10x38
14x51
22x58
Corriente prevista (A ef)
Corriente prevista (A ef)
Corriente prevista (A ef)
PARA SEMICONDUCTORES
gR FUSIBLES
CARACTERISTICAS DE LIMITACION
TECNICO
10x38
Corriente máxima (kA cresta)
10x38
14x51
22x58
Corriente máxima (kA cresta)
14x51
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente máxima (kA cresta)
22x58
Corriente prevista simétrica (A ef)
|14
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
DIMENSIONES
TECNICO
NH000
NH00
NH1
NH2
NH3
TAMAÑO
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
NH000
NH00
NH1
NH2
NH3
49
49
68
68
68
45
44
62
62
62
52
52
71,5
71,5
73
78,5
78,5
135
150
150
15
15
20
25
32
10
10
10
10
10
9,5
9,5
9,5
9,5
9,5
6
6
6
6
6
21
29
39
53
70
35
35
40
48
60
40
47
52
60
75
53
59
64
72
87
15|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS t-I
TECNICO
NH000
NH00
NH1
NH1
Tiempo de prearco (s)
NH2
NH3
Tiempo de prearco (s)
NH000
NH00
Corriente prevista (A ef)
Corriente prevista (A ef)
Tiempo de prearco (s)
NH3
Tiempo de prearco (s)
NH2
Corriente prevista (A ef)
|16
Corriente prevista (A ef)
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS DE LIMITACION
TECNICO
NH000
NH00
NH1
NH2
NH3
NH1
Corriente máxima (kA cresta)
Corriente máxima (kA cresta)
NH000
NH00
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente máxima (kA cresta)
NH3
Corriente máxima (kA cresta)
NH2
Corriente prevista simétrica (A ef)
Corriente prevista simétrica (A ef)
17|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
NH000
NH00
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
NH000
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
20
31
116
2,9
5,1
32
49
3,2
5,6
40
96
181
196
724
4,2
7,2
63
782
25
50
|18
355
331
1.224
80
1.420
5.270
2.130
7.880
125
3.380
6.400
100
NH00
Tensión de Arco (UL)
160
2.897
3,9
5,1
5,3
6,6
8,5
9,1
6,3
11,0
7,6
13,3
11.550
8,3
14,7
21.840
10,5
18,2
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
NH1
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
NH1
Tensión de Arco (UL)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
125
3.800
11.680
10,7
19,7
200
6.290
13.120
19.300
14,5
25,3
280
25.160
37.590
77.230
19,5
33,2
160
250
40.280
115.370
16,1
20,1
28,6
35,7
19|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
NH2
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
NH2
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
250
24.280
74.460
18,6
32,2
355
50.660
67.450
155.360
20,8
35,8
100.770
309.000
24,4
42,6
315
400
450
|20
Tensión de Arco (UL)
140.740
206.850
431.580
23,4
33,9
40,1
47,2
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
NH PARA SEMICONDUCTORES
gS FUSIBLES
CARACTERISTICAS TECNICAS
TECNICO
I2t Coeficiente de corrección (K)
NH3
Coeficiente corrección Potencia disipada (Cp)
NH3
Tensión de Arco (UL)
In
I2t Prearco
I2t Total @ 690 V
Potencia disipada 0.8 · In
Potencia disipada In
(A)
(A2S)
(A2S)
(W)
(W)
355
54.240
151.700
22,7
39,6
450
75.760
114.770
211.900
24,3
42,7
630
165.270
303.060
462.200
27,6
47,1
400
500
320.970
847.570
26,3
34,3
46,0
60,4
21|
RAPIDPLUS
FUSIBLES ULTRARRAPIDOS PARA SEMICONDUCTORES
PARA SEMICONDUCTORES
aR FUSIBLES
USO DE FUSIBLES RAPIDPLUS EN BASES PORTAFUSIBLES MODULARES PMX Y BASES ABIERTAS BAC
TECNICO
gR
Las bases modulares para fusibles cilíndricos tienen unos niveles de potencia disipable que están en concordancia con las máximas potencias que
los fusibles de uso general (gG) o de acompañamiento (aM) pueden alcanzar.
Estos valores máximos para los fusibles gG/aM están regulados por normas (IEC/EN60269-2). Asimismo la norma también regula la potencia
disipable mínima para las bases, entendiéndose como potencia disipable aquella potencia generada en el fusible (y que se convierte en calor) que
la base es capaz de disipar, es decir, que no provoca en la base unos calentamientos
superiores a los admisibles.
Los fusibles ultrarrápidos o de protección de semiconductores tienen potencias disipadas superiores a las de los fusibles gG y aM; por ello existen
limitaciones en cuanto a la aplicación de estos fusibles en bases modulares cerradas.
Deberemos verificar que los fusibles que queremos instalar tienen una potencia disipada menor o igual al máximo valor disipable por la base
indicado por el fabricante.
Cuando no se puedan utilizar bases cerradas deberemos recurrir a modelos abiertos (BAC) donde el exceso de calor puede ser evacuado convenientemente.
A continuación se indican los valores límite para las bases DF ELECTRIC que no deben ser sobrepasados bajo ningún concepto:
|22
TIPO DE BASE
POTENCIA DISIPADA MINIMA
IEC/EN60269-2
POTENCIA DISIPABLE MAXIMA
BASES DF ELECTRIC
PMX 10x38
3W
4W
PMX 14x51
5W
6W
PMX 22x58
9,5 W
12 W
BAC 10x38
–
8W
BAC 14x51
–
12 W
BAC 22x58
–
20 W
ELECTRONICOS
CILINDRICIOS
FOTOVOLTAICOS
RAPIDPLUS
NH
FUSIBLES ESPECIALES
DOMESTICOS
D & DO
TRANSFORMADORES
OFICINA CENTRAL Y FABRICA
SILICI, 67-69
08940 CORNELLA DE LLOBREGAT
BARCELONA
SPAIN
Tel. +34 93 377 85 85
Fax +34 93 377 82 82
VENTAS NACIONAL
Tel. 93 475 08 64
Fax 93 480 07 76
[email protected]
VENTAS EXPORTACION
Tel. +34 93 475 08 64
Fax +34 93 480 07 75
[email protected]
ED. 2016-1
www.df-sa.es
|24