Actividad-Inv-Estático - Universidad de Guadalajara

CIRCUITOS DIGITALES 2015-A
Actividades de la semana 4: Análisis estático del inversor CMOS.
1. Explique la operación lógica de la siguiente compuerta empleando el modelo de los transistores
como interruptores abiertos o cerrados. O bien modele los transistores como una resistencia de
muy bajo valor (kΩ) o de muy alto valor (TΩ). Obtenga su tabla de verdad empleando niveles L y
H.
2. Use los valores VTn=0.67V, VTp=-0.86V, K’n=114.6µA/V2, K’p=37.8µA/V2, y encuentre los
siguientes puntos de la Curva de Transferencia de Voltaje del Inversor (mostrados en la figura de
abajo):
1) Punto Vtn donde el transistor NMOS pasa de corte a saturación.
2) Punto Vtp donde el transistor PMOS pasa de saturación a corte.
3) Punto VM definido como el punto de la curva donde Vin=Vth (emplee las fórmulas del PMOS y el
NMOS en saturación). Encuentre manualmente el punto y luego compárelo con el resultado
obtenido con el simulador Spice (recuerde que en el punto VM ambos transistores se encuentran
en región de saturación).
4) Con la ayuda de Spice encuentre el punto VIL, a la izquierda del punto VM, donde la Curva de
Transferencia de Voltaje presenta una pendiente= -1.
5) Con la ayuda de Spice encuentre el punto VIH, a la derecha del punto VM, donde la Curva de
Transferencia de Voltaje presenta una pendiente= -1.
3. Calcule NML y NMH (cálculo manual).
MARCO GURROLA, SANTIAGO MEDINA, JOEL CHÁVEZ, SERGIO RÍOS, ERIC GUTIÉRREZ
DPTO. DE ELECTRÓNICA CUCEI - UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA
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4. Cambie la W del transistor PMOS en el diagrama esquemático del inversor para lograr que
VM=VDD/2. Para ello use los valores VTn=0.67V, VTp=-0.86V, K’n=114.6µA/V2, K’p=-37.8µA/V2
(recuerde que en el punto VM ambos transistores se encuentran en región de saturación). Primero
calcúlelo manualmente y luego ajústelo con ayuda del simulador Spice.
5. Con ayuda del Simulador Spice encuentre el punto donde el transistor NMOS pasa de región de
saturación a triodo y donde el transistor PMOS pasa de triodo a saturación.
1 Entregable:
Un reporte en Word o en PDF con las 5 actividades realizadas.
Bibliografía

Circuitos Microelectrónicos, 5a edición, Adel S. Sedra , Kenneth C. Smith, McGraw-Hill,
México, 2006
MARCO GURROLA, SANTIAGO MEDINA, JOEL CHÁVEZ, SERGIO RÍOS, ERIC GUTIÉRREZ
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