1. Educación

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
Escuela de Ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería – Programa Ingeniería Electrónica
Curso Electrónica Básica – 201419 Periodo 2014-2
UNIDAD II
FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN
ACT 10 TRABAJO COLABORATIVO No. 2
Nombre de curso: Electrónica Básica - 201419
Temáticas revisadas: El FET, polarizaciones del FET y otros dispositivos PNPN
Aspectos generales: Participación individual de cada estudiante para la solución
las actividades planteadas con la realización de aportes significativos y oportunos
en el espacio de interacción, finalmente el grupo debe entregar un documentoinforme, como consolidado de las tareas propuestas.
Estrategia de aprendizaje: Aprendizaje Colaborativo.
Peso evaluativo: 100 puntos.
Cronograma de actividades:
Inicio: 14/OCT/14 Cierre: 15/NOV/14
Producto esperado: Informe final grupal formato .PDF
Director de Curso: Jairo Luis Gutiérrez Torres
Propiedad moral:
La edición de las guías del curso Electrónica Básica – 201419 diseñado por el Ingeniero Jairo Luis
Gutiérrez Torres, docente del programa Ingeniería Electrónica estuvo a cargo de la ECBTI de la
Universidad Nacional Abierta y a Distancia (UNAD).
Derechos reservados:
©2013, Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD
Vicerrectoría de Medios y Mediaciones Pedagógicas, Bogotá D.C.
Teléfono: 3443700 Sede Nacional: Calle 14 Sur No. 14 - 23
Docente Diseñador: Jairo Luis Gutiérrez Torres
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GUÍA DE ACTIVIDADES
FASE 1: AMPLIFICADOR DE RF CON JFET
Los amplificadores de RF son usados para restaurar señales débiles que son
captadas por una antena en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información, un ejemplo de esto es la radio FM. Construir en el simulador el
siguiente amplificador con JFET que supondremos se aplicara para restaurar la
baja amplitud de la señal recibida por la antena de un receptor de radio FM cuyas
frecuencias de operación se ubican en la banda de VHF.
Se debe polarizar el Amplificador en un punto Q llamado también punto estable
para que el JFET logre amplificar linealmente la señal. Basándonos en las
características de transferencia del JFET 2N3819 optamos por elegir los
siguientes parámetros para el diseño:
Figura No.1
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Dónde: ID= 3mA, VD= 10V y VCC= 20V. De catálogo Tememos: IDSS puede Variar
de 2mA a 20mA… para nuestro diseño Tomaremos I DSS=16mA y VGS (off) = -3V
Dadas Las Formulas:
VGS (off) = - VP
RS = VGS (off) / IDSS
1.1.
RD = (VCC – VD) / ID
RG = 1MEGΩ
VGS = - ID∙ RS
AV = -Gm∙ RD
Gm = ID / VGS
Zo ≈ RD
Completar luego de los cálculos La Tabla:
RS
RD
RG
VGS
Gm
AV
1.2.
Simular en análisis transitorio dibujando al menos 3 ciclos de la señal de 80
MHz de frecuencia generada por Vin, incluir pantallazo de gráficas de la
señal de entra y la de salida.
1.3.
¿Cuál es el tipo de Polarización aplicada al JFET del Circuito?
1.4.
¿VGS = VG – VS? ¡Justifique su respuesta!
1.5.
Explicar detalladamente el funcionamiento
empobrecimiento y de enriquecimiento.
de
los
MOSFET
de
TIRISTORES
FASE 2: CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA
Cuando se pretende desarrollar un control del ángulo de encendido del SCR
partiendo de la misma tensión que alimenta a la carga, es preciso recurrir a
circuitos capaces de retardar la señal de disparo durante un intervalo regulable
mientras transcurre todo el semiciclo de conducción del dispositivo.
La configuración más sencilla para conseguirlo se puede materializar utilizando
una red desfasadora serie R-C, a cuyos extremos se aplica una fracción de la
tensión que ha de estar presente en la carga. La propia naturaleza de la red R-C
introduce un desfase variable entre 0° y 90° respecto de la tensión aplicada,
pudiéndose conseguir con una adecuada relación de valores resistenciaDocente Diseñador: Jairo Luis Gutiérrez Torres
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capacidad un control pleno de la corriente por la carga entre los 0° y prácticamente
los 180°.
Figura No. 2
En el circuito de la figura 2 la red desfasadora está formada por R1 + P1 y C, que
tiene aplicada la tensión presente entre ánodo y cátodo del SCR. La señal de
control, variable en fase y amplitud por la acción de P1 se extrae en extremos de
C y se aplica entre puerta y cátodo a través de la resistencia limitadora R2 y el
diodo D1 que previene la descarga de C durante los semiciclos negativos.
En el análisis del funcionamiento del control debe tenerse presente que cuando el
valor de la reactancia que presenta C es mucho mayor que el de la resistencia
serie asociada con éste R1 + P1 (P1 al mínimo), el circuito se comporta como
capacitivo, la tensión que se extrae del condensador es máxima y se puede
considerar en fase con la tensión aplicada; la conducción del SCR se produce casi
al inicio de cada semiperiodo positivo.
2.1. Montar en el simulador el circuito de la Figura 2. (Anexe imagen del circuito al
informe).
2.2. Realizar la simulación anexe la gráfica que muestre al menos 4 ciclos de la
tensión entrada V1 y la de la tensión en la carga RL ¿Que ha notado?
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2.3. Observar la tensión de salida para diferentes valores del potenciómetro P1.
¿Qué sucede cuando la resistencia disminuye?
2.4. ¿Para qué valor de P1 la potencia entregada a la carga es la mitad de la
potencia máxima?
2.5 Calcule los ángulos de disparo y conducción para al menos 6 valores distintos
de P1 Registrar los valores en una tabla. Utilizar como referencia la Figura 3 y
emplear las siguientes ecuaciones.
Figura No.3
ángulo de conducción ⱷt2 = 180º - ángulo de disparo ⱷt1
ESPECIFICACIONES DEL DOCUMENTO FINAL
Nombre del Archivo a subir: 201419_# de Grupo.pdf
(adjuntarse) en el foro: ENTREGA FINAL.
Documento escrito: Trabajo de construcción grupal que incluya:
 Portada con los nombres de los integrantes del grupo
 Introducción
 Contenido
 Conclusiones
 Referencias usadas.
 Deben tener formato APA.
Tamaño del archivo final: El tamaño NO debe superar los 2MB.
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y debe subirse