UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN CENTRO DE FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA AVANZADA DIVISIÓN DE INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA LICENCIATURA EN TECNOLOGÍA QUINTO CONGRESO DE TECNOLOGÍA. 1 AL 3 DE JUNIO 2015 FM-02 Análisis de películas delgadas de óxido de hierro por técnicas de Difracción de Rayos – X. Narciso Roberto Martínez Lévaro**, Eric Mauricio Rivera Muñoz* RESUMEN Los nanomateriales son de interés por sus aplicaciones catalíticas, electrónicas, ópticas, entre otras. En este trabajo se presenta la síntesis de películas delgadas de óxido de hierro mediante la técnica de deposición química en fase de vapor (PLI-MOCVD) empleando un precursor de acetilacetonato férrico (C15H21FeO6). Se emplearon Difracción de rayos-X (DRX) por haz paralelo y microscopía electrónica de barrido (MEB) para analizar la estructura y morfología. Dada la información obtenida, se hará un análisis de reflectividad por rayos-X (RRX) en ángulo rasante en un futuro próximo. ABSTRACT Nanomaterials are of interest for their catalytic, electronic, optic and other applications. In this work, the synthesis of iron oxide thin films by chemical vapor deposition (PLI-MOCVD) technique using iron acetylacetonate (C15H21FeO6) as precursor is presented. Parallel beam X-ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscope (SEM) were used for the analysis of structure and morphology. Due to the information obtained, an X-ray Reflectivity (XRR) in grazing incidence analysis will be done in the near future. Palabras claves: óxido de hierro (III), películas delgadas, deposición química en fase de vapor (CVD), difracción de rayos-X (DRX), microscopía electrónica de barrido (MEB), caracterización. sino que poseen propiedades físicas y químicas diferentes a las poseerían si fueran de tamaño macro. Entendamos a la nanociencia como la rama que se encarga de estudiar, comprender y relacionar las propiedades físicas, fenómenos y dimensiones del material a tamaño nanométrico. Por otro lado, la nanotecnología busca diferentes maneras de diseñar, fabricar, procesar, investigar e implementar los nanomateriales y nanoestructuras en aplicaciones por sus propiedades físicas, químicas y biológicas [2]. Las aplicaciones industriales y comerciales de los nanomateriales y de los materiales nanoestructurados se han identificado principalmente en los siguientes sectores: el automotriz y aeroespacial, el de agricultura y alimentos, el de construcción, el energético, el ambiental, el de salud y medicina, el de tecnología de la información y comunicación, el textil y el de materiales. [3] ANTECEDENTES Las películas delgadas son materiales nanoestructurados de dimensión dos, en otras palabras, estos materiales crecen en dos dimensiones pero una se queda en tamaño nanométrico. La deposición de películas delgadas ha sido un tema de estudio por casi un siglo, con los primeros reportes de evaporación de películas delgadas en los años 20’s en Cavendish [4]. La deposición de películas delgadas se puede realizar mediante el empleo de diversos métodos generalmente divididos en dos grupos, los de deposición a base vapor y los de crecimiento por base líquida [2]. INTRODUCCIÓN El estudio y producción de nanomateriales se ha venido desarrollando por más de un siglo, teniendo los primeros experimentos con coloides y soles por Faraday en 1857 y Zsigmondy en 1905 [1]. Sin embargo, gracias al desarrollo de la mecánica cuántica, la creación de técnicas microscópicas y espectroscópicas y el desarrollo de la informática en el siglo XX, el campo de la nanotecnología y las nanociencias ha ido emergiendo cada vez con mayor fuerza y rapidez. El interés yace en que los nanomateriales y nanoestructuras no sólo tienen tamaños aproximados de 1 a 100 nanómetros (Comisión Europea COM) * Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Departamento de Nanotecnología, [email protected] ** Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, Estudiante de Licenciatura en Tecnología, [email protected] El estudio de películas delgadas de óxidos metálicos resulta de interés por las propiedades químicas, térmicas, eléctricas, ópticas, y magnéticas. Para la generación de este tipo de nanoestructuras se han empleado diversas técnicas como sol-gel, sputtering, rocío pirolítico, deposición por láser pulsado, por evaporación, deposición química en fase vapor, siendo estas las más importantes. [5] La técnica de deposición química en fase vapor (CVD, por sus siglas en inglés) ofrece ventajas sobre las demás técnicas de deposición, debido a los siguientes factores: la deposición de las partículas en áreas extensas es uniforme, la dispersión es homogénea y selectiva, se tiene control sobre el crecimiento y es reproducible, además esta técnica permite el uso de precursores líquidos, sólidos y gaseosos [6, 7]. Existen diversas técnicas de deposición química, este trabajo se enfoca en particular en la técnica de deposición química en fase vapor por inyección pulsada de líquidos órgano-metálicos (PI-MOCVD por sus siglas en inglés). Esta técnica utiliza el principio de evaporación flash, el PAGINA 1 DE 3 UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN CENTRO DE FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA AVANZADA DIVISIÓN DE INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA LICENCIATURA EN TECNOLOGÍA QUINTO CONGRESO DE TECNOLOGÍA. 1 AL 3 DE JUNIO 2015 cual evapora al precursor en fase líquida previniendo el cambio químico de éste, el vapor es arrastrado por el gas acarreador (Ar), llevándose el gas de oxidación a la cámara de deposición, donde la reacción y deposición de la película delgada se lleva acabo. La técnica de PI-MOCVD ofrece tasas de crecimiento altas, la habilidad de cubrir áreas extensas, la capacidad de recubrir por pasos y un bajo costo. [7]. Figura 1.- Esquema del equipo de PI-MOCVD [7] El óxido de hierro es una material el cual se puede encontrar en diferentes estructuras cristalinas, encontrando así estructuras del tipo wustita (FeO), hematita (α-Fe2O3), maghemita (ν-Fe2O3) y la magnetita (Fe3O4). Siendo la hematita la estructura cristalina más estable en condiciones ambientales y la síntesis mediante técnicas del tipo MOCVD han demostrado su deposición a temperaturas de 400-500 °C, utilizando como precursor el acetilacetonato de hierro (III). Aunado a lo anterior, este óxido presenta propiedades antiferromagnéticas a una temperatura menor de 260 K, catalíticas, optoeléctricas, semiconductoras, siendo estas las más interesantes en campos como la generación de baterías de iones de litio, celdas solares, sensores de gas, fotocatálisis, tratamiento de agua, separación de agua, etc. [8] barrido, con el fin de estudiar la estructura y morfología del material nanoestructurado previamente sintetizado mediante la técnica de PI-MOCVD. DESARROLLO EXPERIMENTAL Se realizaron dos experimentos a diferentes temperaturas para la síntesis de películas delgadas de óxido de hierro (III). Para cada experimento utilizó una oblea de Si (100) como sustrato y se preparó una solución con 0.2146 g de acetilacetonato de hierro, como precursor, disueltos en 30 ml de tolueno, de los cuales sólo se inyectaron 10 mililitros con una frecuencia de inyección de 2 Hz y una longitud de pulso con una duración de 3 ms, empleando un total de 3001 pulsos para el primer experimento y 3000 para el segundo. La temperatura de la zona de transporte y de evaporación en ambos experimentos fue de 280ºC, mientras que en el sustrato fue de 800ºC y 750ºC. El tiempo de deposición para ambas muestras fue de 25 minutos. La presión de trabajo para el primer experimento se mantuvo en 3.32 Torr y para el segundo fue de 3.42 Torr, en ambos casos se mantuvo un flujo de Argón de 0.8 lts/min. Una vez depositadas las películas delgadas, se extrajeron y se realizó un análisis estructural mediante la técnica de difracción de rayos-X por haz paralelo empleando un difractómetro Rigaku modelo Ultima IV (Cu, λ = 1.5406 Å) con filtro Kβ, con el fin de conocer que estructuras y fases cristalinas estan presentes en el producto de cada experimento. También se realizó una caracterización morfológica mediante microscopía electrónica de barrido con un microscopío JEOL JSM5900-LV a un voltaje de operación de 15 kV a diferentes magnificaciones. RESULTADOS Y DISCUSIÓN El análisis de difracción de rayos X por haz paralelo de las películas delgadas depositadas en un sustrato a diferentes temperaturas identifica únicamente una fase cristalin, correspondiente a la hematita (α-Fe2O3), en ambas muestras, la cual tiene como archivo PDF (Powder Diffraction File)#=87-164. Actualmente con el desarrollo del grafeno, por sus propiedades químicas, mecánicas y electrónicas, se busca el desarrollo de métodos de síntesis que tengan un potencial en aplicaciones como transistores balísticos, transistores de efecto de campo, dispositivos de interferencia cuántica y electrodos transparentes y flexibles. Sin embargo, para aplicaciones prácticas se necesita un método el cual sea capaz crecer directamente el grafeno en materiales con propiedades aislantes. [9] Las técnicas de CVD tienen potencial para el crecimiento directo del grafeno sobre aislantes como los óxidos. Se ha reportado el uso de Cu, Ni, SiO2, MgO, zafiro y Fe2O3 como sustratos para la deposición de láminas de dicho material, de los cuales el óxido de hierro (III) tiene un alto potencial para ser el sustrato del grafeno por la presencia catalítica del hierro como elemento. [10] En este trabajo se presenta el análisis de películas delgadas de Fe2O3 mediante difracción de rayos-X y microscopía electrónica de Figura 2.- Difractogramas de la películas depositadas a 750 ºC (azul), a 800 ºC (negro) y picos de identificación de la hematita (rojo). PAGINA 2 DE 3 UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN CENTRO DE FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA AVANZADA DIVISIÓN DE INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA LICENCIATURA EN TECNOLOGÍA QUINTO CONGRESO DE TECNOLOGÍA. 1 AL 3 DE JUNIO 2015 Para la película depositada a una temperatura de 750ºC se observan picos de difracción más intensos en 33.22º y 35.7º (en la escala 2θ) correspondientes a los planos (104) y (110) de la estructura cristalina de hematita; el pico ubicado en 60.46º se atribuye al sustrato de Si (100). Por otra parte la película sintetizada a 800ºC no muestra reflexión de Bragg alguna correspondiente al sustrato. este tipo de estructura que tiene aplicaciones en diversos campos como el tratamiento de aguas y dispositivos electrónicos, sino que en trabajos futuros se pudiera emplear como sustrato para la deposición de capas de grafeno empleando esta misma técnica. De la misma forma, se deberá realizar un estudio termodinámico para el conocer la interacción entre el óxido de hierro (III) y el grafeno. El siguiente paso en la investigación será realizar el estudio mediante la técnica de rayos-X de incidencia rasante (reflectometría) para conocer el espesor de las películas de óxido de hierro (III) y evaluar la superficie. AGRADECIMIENTOS Los autores agradecen al Dr. Luis Miguel Apátiga Castro y al M. en C. Néstor Méndez por su apoyo técnico durante la síntesis. De igual forma, se agradece a la M. en C. Carmen Peza Ledesma por su apoyo técnico en los análisis de MEB. REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFÍA Figura 3.- Imágenes obtenidas por MEB a 10000X y 15000X de la síntesis a 750ºC (a y b) y 800ºC (c y d) respectivamente. En el análisis morfológico mediante MEB se corrobora que en ambas películas sintetizadas existe la presencia de una estructura cristalina en la superficie, sin embargo se observa que la distribución del tamaño de los cristales de Fe2O3 en las obtenidas a 750ºC tiene mayor homogeneidad, mientras que en las depositadas a 800ºC la distribución es más heterogénea. Por lo tanto, la dirección preferencial de la película delgada depositada a 750ºC se puede atribuir a la distribución heterogénea anteriormente mencionada. Por otra parte, la diferencia de temperatura de 750ºC y 800ºC empleada para la síntesis por PI-MOCVD, mostró un comportamiento distinto en el tamaño de los cristales. Esta diferencia de tamaño se relaciona con la energía superficial, debido a que la energía de superficie es inversamente proporcional al volumen. Finalmente las películas delgadas no mostraron cambios de fase o degradación composicional después de ser almacenadas durante dos meses y mostraron estabilidad a temperatura ambiente. CONCLUSIONES Hasta el momento es posible concluir que se logró la síntesis de películas delgadas nanoestructuradas de hematita (α-Fe2O3) mediante la técnica de PI-MOCVD a dos temperaturas diferentes 750ºC y 800ºC, lo cual tiene potencial no solamente por obtener [1] S. Read, A. Jiménez, B. Ross, R. Aitken, M. van Tongeren, Chapter 2 – Nanotechnology and Exposure Scenarios, Handbook of Nanosafety, 2014, pp. 17 – 36. [2] G. Cao, Nanostructures & Nanomaterials, 2004, pp 1-7, 173177, 189-196. [3] B. Nowack, et al. Analysis of the occupational, consumer and enviromental exposure to engineered nanomaterials used in 10 technology sectors. Nanotoxicology, 2013, pp 1152 -1156 [4] M. Ohring, Materials Science of Thin Films. Deposition & Structure; 2 Edición, 2002, pp 357-386. [5] H. Pierson, The CVD of Ceramic Materiales : Oxides. Handbook of Chemical Vapor Deposition, 2º Edición, 1999, pp 231-264. [6] L. Apátiga, et al. Growth of Ceramic Films by Using a Novel CDV System Based in a New Principle of Formation from MetalOrganic Precursor in Vapor Phase, Congreso Nacional de Instrumentación. [7] L. Apátiga, E. Rivera & V. Castaño, Nucleation and Growth of Titania Nanoparticles Prepared by Pulsed Injection Metal Organic Chemical Vapor Deposition form a single Molecular Precursor, J. Am. Ceram. Soc, vol. 90, 2007, pp 932-935. [8] M. Maneesha & D-M. Chun, α-Fe2O3 as photocatalytic material, Applied Catalysis A: General, #498, 2015, pp 126-141. [9] Geim AK, Novoselov KS. The rise of graphene. Nat. Mater, vol. 6, 2007, pp 183–91. [10] L. van Nang, E-T. Kim, Low-temperature synthesis of graphene on Fe2O3 using inductively coupled plasma chemical vapor deposition, Materials Letters, vol. 92, 2013, pp 437-439. INFORMACIÓN ACADÉMICA Narciso Roberto Martínez Lévaro: Estudiante de 6º grado en la Licenciatura en Tecnología del Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada de la UNAM. Eric Mauricio Rivera Muñoz Físico y Doctor en Ciencias (Ciencia de Materiales) egresado de la Facultad de Ciencias de la UNAM. Investigador Titular en el Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, profesor en la Licenciatura en Tecnología y en el Posgrado en Ciencia e Ingeniería de Materiales de la UNAM. Investigador Nacional Nivel 2. PAGINA 3 DE 3
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